RF081M2STR 是一款基于硅� (SiGe) 工藝的射頻功率放大器芯片,主要應用于無線通信系統(tǒng)中的信號放大。該芯片具有高線性度、高增益和低噪聲等特�,適用于 GSM、CDMA � WCDMA 等多種通信標準。其設計�(yōu)化了功耗與性能的平�,適合于手機終端、基站以及其他射頻設備中使用�
該器件采� SOT-89 封裝形式,具備良好的散熱性能,能夠滿足緊湊型設計需��
工作頻率范圍�824 MHz � 960 MHz
輸出功率�33 dBm
增益�18.5 dB
電源電壓�3.3 V
靜態(tài)電流�80 mA
最大輸入功率:10 dBm
封裝類型:SOT-89
RF081M2STR 具備以下顯著特性:
1. 高效率輸出功率,能夠在維持較高線性度的同時實�(xiàn)大信號輸��
2. �(nèi)置匹配網(wǎng)�,減少外部元件數(shù)�,簡化電路設計并降低整體成本�
3. 低失真和高線性度,確保在多載波環(huán)境下的優(yōu)良性能表現(xiàn)�
4. 支持關斷模式,有效降低待機狀�(tài)下的功��
5. 寬泛的工作溫度范圍(-40°C � +85°C�,適應多種應用場景的需求�
6. 集成了過溫保護和過流保護功能,提升系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
RF081M2STR 廣泛應用于以下領域:
1. GSM/EDGE 手機及模�
2. CDMA � WCDMA 終端設備
3. 無線接入點與小型基站
4. �(shù)�(jù)卡和物聯(lián)�(wǎng) (IoT) 設備
5. 車載通信系統(tǒng)和其他便攜式無線通信�(chǎn)�
由于其卓越的射頻性能,RF081M2STR 成為需要高效能和小尺寸解決方案的理想選擇�
RF081M2STRH, RF082M2STR