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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > RF081M2STR

RF081M2STR 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 17:55:42 查看 閱讀�18

RF081M2STR 是一款基于硅� (SiGe) 工藝的射頻功率放大器芯片,主要應用于無線通信系統(tǒng)中的信號放大。該芯片具有高線性度、高增益和低噪聲等特�,適用于 GSM、CDMA � WCDMA 等多種通信標準。其設計�(yōu)化了功耗與性能的平�,適合于手機終端、基站以及其他射頻設備中使用�
  該器件采� SOT-89 封裝形式,具備良好的散熱性能,能夠滿足緊湊型設計需��

參數(shù)

工作頻率范圍�824 MHz � 960 MHz
  輸出功率�33 dBm
  增益�18.5 dB
  電源電壓�3.3 V
  靜態(tài)電流�80 mA
  最大輸入功率:10 dBm
  封裝類型:SOT-89

特�

RF081M2STR 具備以下顯著特性:
  1. 高效率輸出功率,能夠在維持較高線性度的同時實�(xiàn)大信號輸��
  2. �(nèi)置匹配網(wǎng)�,減少外部元件數(shù)�,簡化電路設計并降低整體成本�
  3. 低失真和高線性度,確保在多載波環(huán)境下的優(yōu)良性能表現(xiàn)�
  4. 支持關斷模式,有效降低待機狀�(tài)下的功��
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-40°C � +85°C�,適應多種應用場景的需求�
  6. 集成了過溫保護和過流保護功能,提升系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��

應用

RF081M2STR 廣泛應用于以下領域:
  1. GSM/EDGE 手機及模�
  2. CDMA � WCDMA 終端設備
  3. 無線接入點與小型基站
  4. �(shù)�(jù)卡和物聯(lián)�(wǎng) (IoT) 設備
  5. 車載通信系統(tǒng)和其他便攜式無線通信�(chǎn)�
  由于其卓越的射頻性能,RF081M2STR 成為需要高效能和小尺寸解決方案的理想選擇�

替代型號

RF081M2STRH, RF082M2STR

rf081m2str推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

rf081m2str資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

rf081m2str參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�Fast Recovery Diodes
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)200V
  • 電流 - 平均整流 (Io)800mA
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)950mV @ 800mA
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)25ns
  • 電流 - � Vr 時反向漏�10µA @ 200V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOD-123
  • 供應商設備封�PMDU
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱RF081M2SDKR