RD3L050SNTL1是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該器件適用于高效率、高速開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�。其封裝形式為T(mén)O-263(DPAK),具備良好的散熱性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,從而在各種�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�34A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷(典型值)�12nC
輸入電容�1370pF
反向恢復(fù)�(shí)間:30ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
RD3L050SNTL1具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,適合大功率�(yīng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,可減少�(kāi)�(guān)損��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 良好的抗雪崩能力和耐用性,提高了整體系�(tǒng)的可靠��
7. 封裝緊湊,便于PCB布局�(shè)�(jì)�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切�
6. 工業(yè)自動(dòng)化中的功率控制模�
7. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方�
IRL3803PBF, FDP5560, AO3400