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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RD3L050SNTL1

RD3L050SNTL1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 19:00:55 查看 閱讀�14

RD3L050SNTL1是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝。該器件適用于高效率、高速開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�。其封裝形式為T(mén)O-263(DPAK),具備良好的散熱性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,從而在各種�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�34A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  輸入電容�1370pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:30ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

RD3L050SNTL1具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,可減少�(kāi)�(guān)損��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. 良好的抗雪崩能力和耐用性,提高了整體系�(tǒng)的可靠��
  7. 封裝緊湊,便于PCB布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化中的功率控制模�
  7. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方�

替代型號(hào)

IRL3803PBF, FDP5560, AO3400

rd3l050sntl1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rd3l050sntl1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �10.26000剪切帶(CT�2,500 : �4.53144卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)109 毫歐 @ 5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)290 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63