RB521ZS-30T2R是一種高精度、低功耗的雙路N溝道MOSFET功率晶體�,采用小型化封裝�(shè)�(jì)。該器件主要�(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例如負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等電路中�
該芯片通過�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和較高的電流承載能力,同時(shí)保持了良好的熱性能。其封裝形式為SOT-23-3L,適用于空間受限的設(shè)�(jì)�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.1A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�90mΩ (在Vgs=4.5V�(shí))
柵極電荷(Qg)�7nC
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝形式:SOT-23-3L
RB521ZS-30T2R具有以下主要特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻以減少功率損��
2. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損��
3. 高可靠性與�(zhǎng)壽命�(shè)�(jì)�
4. 小型化封裝適合便攜式�(shè)備應(yīng)用�
5. 較寬的工作溫度范圍適�(yīng)多種�(huán)境需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
RB521ZS-30T2R廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
2. 移動(dòng)�(shè)備及可穿戴設(shè)備中的電源管理�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和POL�(wěn)壓模��
4. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
5. LED�(qū)�(dòng)電路�
6. 各種工業(yè)自動(dòng)化控制電路中的信�(hào)切換功能�
RB521ZS-30T2G, RB520ZS-30T2R