RB521S-30FJTE61是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)控制�(lǐng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK),具備良好的散熱性能,能夠滿足高功率密度�(yīng)用的需��
該芯片通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),確保在高頻工作條件下的效率最大化,并且具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣特�。同�(shí),RB521S-30FJTE61符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的�(yán)格要��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�7nC(典型值)
總功�(Ptot)�160W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. 高電流處理能�,能夠承受高�(dá)30A的持�(xù)漏極電流�
4. �(yōu)異的熱性能,封裝設(shè)�(jì)允許高效的熱量散�(fā)�
5. �(nèi)置反向二極管,簡化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)功能�
6. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. LED�(qū)�(dòng)器中的功率調(diào)節(jié)組件�
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
RB521S-30FJTE51
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF06L