RB521CM-30T2R 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進的溝槽式MOSFET技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性,能夠顯著提升效率并減少功耗。
該器件適用于高頻率開關(guān)場景,其優(yōu)化的封裝設(shè)計使其具備良好的散熱性能,從而提升了整體系統(tǒng)的可靠性。
型號:RB521CM-30T2R
類型:N溝道增強型MOSFET
VDS(漏源電壓):30V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):2.0mΩ(典型值,VGS=10V)
ID(持續(xù)漏電流):87A
Qg(柵極電荷):42nC
fsw(開關(guān)頻率):最高支持1MHz
封裝形式:TO-263-3L
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
RB521CM-30T2R 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用場景。
3. 強大的過流能力和耐熱性能,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運行。
4. 柵極電荷小,驅(qū)動損耗低,進一步提升了系統(tǒng)效率。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
6. TO-263-3L封裝提供優(yōu)秀的散熱性能和電氣連接可靠性。
RB521CM-30T2R 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率級開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動器中的橋臂開關(guān)。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護電路中的關(guān)鍵元件。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 電動工具和家用電器的高效功率管理單元。
RB521CM-30T2,
IRF3205,
FDP55N06L,
AON6720