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時(shí)間：2025/5/20 16:30:07
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RB520S-30TE61是一款高性能的功率MOSFET器件，采用TO-264封裝形式。該芯片主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
該器件具有出色的熱性能和電氣特性，適合在高電流、高電壓的工作環(huán)境下使用。通過采用先進(jìn)的制造工藝，RB520S-30TE61在保證可靠性的同時(shí)還具備較低的成本優(yōu)勢(shì)。
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：600V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.18Ω
總功耗(Ptot)：300W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-264
RB520S-30TE61具備以下主要特性：
1. 高耐壓能力，適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效減少傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度，有助于提升工作效率并降低開關(guān)損耗。
4. 強(qiáng)大的散熱性能，確保在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
6. 優(yōu)異的抗靜電能力(ESD)，提高了器件的可靠性。
7. 良好的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)特性，適應(yīng)多種復(fù)雜工作條件。
這些特點(diǎn)使RB520S-30TE61成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
RB520S-30TE61廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制。
4. 電池充電管理及保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 照明系統(tǒng)中的LED驅(qū)動(dòng)器。
7. 逆變器和其他電力電子設(shè)備。
由于其強(qiáng)大的性能和靈活性，這款MOSFET非常適合需要高效率和可靠性的各種應(yīng)用場(chǎng)景。
IRFZ44N
STP30NF06L
FQP50N06L
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