RB481KTL是一種用于功率管理的N溝道MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該器件采用TO-252封裝形式,具備較低的�(dǎo)通電阻以及較高的電流處理能力,有助于提高系統(tǒng)效率并降低功耗�
RB481KTL的設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效率和小體積的需�,其出色的電氣性能和可靠性使其成為多種工�(yè)和消費類�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
總功耗:135W
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和較低的傳�(dǎo)損��
2. 高雪崩能量能力增強了器件在異常情況下的耐用��
3. 快速開�(guān)速度減少開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
4. 具備靜電放電保護功能,提高了使用中的�(wěn)定��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�(shè)��
6. 封裝形式緊湊,便于PCB布局與安��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器和降壓升壓電路中的關(guān)鍵元��
3. 電動工具、家用電器及其他�(shè)備中的電機驅(qū)動控��
4. 負載開關(guān)和保護電�,如過流保護和短路保��
5. 各種工業(yè)自動化和通信�(shè)備中的功率管理模塊�
IRLZ44N, AO3400, FDN339AN