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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > R6006KND3TL1

R6006KND3TL1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 21:01:19 查看 閱讀�19

R6006KND3TL1 是一款高性能的功� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件專為需要高效能和高可靠性的開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于各種電源管理�(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)電路等。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):R6006KND3TL1
  封裝:TO-263
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):98A
  BVDSS(擊穿電壓)�60V
  Qg(柵極電荷)�17nC
  fT(特征頻率)�2.4MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

R6006KND3TL1 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 4.5mΩ,有助于減少�(dǎo)通時(shí)的能量損耗�
  2. 快速的開關(guān)速度,柵極電� (Qg) � 17nC,適合高頻應(yīng)��
  3. 高額定電流能�,支持高�(dá) 98A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 寬廣的工作溫度范� (-55� � +175�),能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. 采用�(jiān)固的 TO-263 封裝形式,提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��

�(yīng)�

R6006KND3TL1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)元件�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流器使用�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制元件�
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)� (EPS) 和剎車控制系�(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)元件�

替代型號(hào)

RFP50N06LE, IRFZ44N, FDP55N06L

r6006knd3tl1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

r6006knd3tl1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,167�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �17.25000剪切帶(CT�2,500 : �7.89956卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)830 毫歐 @ 3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)350 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)70W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63