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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > R5G05000N200NS

R5G05000N200NS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 11:26:32 查看 閱讀�17

R5G05000N200NS 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)� N 沱場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用 Trench 工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。適用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 LFPAK88,具有較小的體積和良好的散熱性能,非常適合用于對(duì)空間和效率有較高要求的設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:3.7mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�145nC(典型值)
  輸入電容�3360pF(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=90ns,toff=49ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

R5G05000N200NS 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,在 Vgs=10V �(shí)僅為 3.7mΩ,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 高額定電壓(200V�,適合各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 大電流承載能力(50A 連續(xù)漏極電流�,可滿足高功率應(yīng)用需��
  4. 快速開(kāi)�(guān)特�,柵極電荷較低(145nC 典型值),有助于提高系統(tǒng)效率�
  5. 小型化封裝(LFPAK88�,節(jié)� PCB 空間并提供良好的熱管理性能�
  6. 廣泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��

�(yīng)�

R5G05000N200NS 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為同步整� MOSFET 或高頻開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中用于控制電�(jī)的啟停和�(diào)速�
  4. 逆變器、太�(yáng)能轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)�
  5. 各種工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中,如車載充電器、電池管理系�(tǒng)等�

替代型號(hào)

R6005EN2H0LDS,RSS2006PNEHLD

r5g05000n200ns推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)