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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > R5460N214AF-TR-FE

R5460N214AF-TR-FE 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 10:35:57 查看 閱讀�21

R5460N214AF-TR-FE 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有出色的�(kāi)�(guān)特性和耐熱性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和消�(fèi)類電子設(shè)備等�(lǐng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,體積小�,適合在空間受限的設(shè)�(jì)中使�。其卓越的電氣特性使其成為眾多高效能�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�4.2A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�14mΩ
  總電�(Qg)�15nC
  柵極-源極電荷(Qgs)�7nC
  柵極-漏極電荷(Qgd)�2nC
  輸入電容(Ciss)�155pF
  輸出電容(Coss)�38pF
  反向傳輸電容(Crss)�15pF
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C

特�

R5460N214AF-TR-FE 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了更少的傳導(dǎo)損�,提升了系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得該器件非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 小型 SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��
  4. �(yōu)異的熱性能確保在高功率密度下的可靠�(yùn)��
  5. 靜電放電 (ESD) 保護(hù)功能增強(qiáng)了器件的耐用��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

R5460N214AF-TR-FE 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的電源管理�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
  4. 工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
  5. 各種便攜式設(shè)備的電池管理解決方案�
  6. LED �(qū)�(dòng)器中的開(kāi)�(guān)組件�

替代型號(hào)

RFP50N06LE, IRF540N, FDP5501

r5460n214af-tr-fe推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)