R5460N214AF-TR-FE 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有出色的�(kāi)�(guān)特性和耐熱性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和消�(fèi)類電子設(shè)備等�(lǐng)��
這款 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,體積小�,適合在空間受限的設(shè)�(jì)中使�。其卓越的電氣特性使其成為眾多高效能�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.2A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�14mΩ
總電�(Qg)�15nC
柵極-源極電荷(Qgs)�7nC
柵極-漏極電荷(Qgd)�2nC
輸入電容(Ciss)�155pF
輸出電容(Coss)�38pF
反向傳輸電容(Crss)�15pF
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
R5460N214AF-TR-FE 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了更少的傳導(dǎo)損�,提升了系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得該器件非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 小型 SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��
4. �(yōu)異的熱性能確保在高功率密度下的可靠�(yùn)��
5. 靜電放電 (ESD) 保護(hù)功能增強(qiáng)了器件的耐用��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
R5460N214AF-TR-FE 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的電源管理�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
4. 工業(yè)控制和自�(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
5. 各種便攜式設(shè)備的電池管理解決方案�
6. LED �(qū)�(dòng)器中的開(kāi)�(guān)組件�
RFP50N06LE, IRF540N, FDP5501