R5460N213AD-TR-FE 是一款由 Rohm 生產(chǎn)的高性能 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為需要低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有出色的電氣性能和可靠性,適合廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類開(kāi)關(guān)電路中。
R5460N213AD-TR-FE 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其封裝形式為 LFPAK88(Power-SOA),能夠有效降低熱阻并提高散熱性能。這種 MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、逆變器以及其他功率轉(zhuǎn)換電路。
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓 (Vds):60 V
最大柵源電壓 (Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流 (Id):213 A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):1.2 mΩ @ Vgs=10V
總柵極電荷 (Qg):79 nC
輸入電容 (Ciss):4000 pF
輸出電容 (Coss):120 pF
反向傳輸電容 (Crss):110 pF
工作結(jié)溫范圍 (Tj):-55°C 至 +175°C
封裝:LFPAK88
R5460N213AD-TR-FE 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高電流承載能力。這使得它在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并能顯著減少功率損耗。
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (1.2 mΩ),確保了高效的功率傳輸和較低的發(fā)熱。
2. 高額定電流 (213 A),適用于大功率和高負(fù)載應(yīng)用。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能得益于較小的柵極電荷 (79 nC) 和優(yōu)化的寄生電容。
4. 寬工作溫度范圍 (-55°C 至 +175°C),適應(yīng)極端環(huán)境條件。
5. 封裝形式 LFPAK88 提供良好的散熱特性和機(jī)械穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。
這些特性共同使 R5460N213AD-TR-FE 成為高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。
R5460N213AD-TR-FE 廣泛應(yīng)用于需要高性能功率開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動(dòng)車輛 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié)模塊。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率管理部分。
5. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。
由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 特別適合需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
R5460N213AD-TR, R5460N213AD-TR-F