R3620DR-S 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,適合在要求高效能和小體積的應用場景中使��
該器件為 N 溝道增強� MOSFET,具有優(yōu)異的電氣特性和可靠�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提升整體效率�
型號:R3620DR-S
類型:N溝道功率MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�180A
導通電阻:1.4mΩ(典型值)
柵極電荷�75nC(最大值)
開關(guān)頻率:高�500kHz
封裝形式:TO-247-3L
工作溫度范圍�-55� � +175�
R3620DR-S 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損�,從而提高效率�
2. 高額定電流能� (180A),適用于大功率應用�
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操�,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能的需��
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
5. 緊湊� TO-247-3L 封裝,便于安裝和散熱�(shè)��
6. 寬工作溫度范� (-55� � +175�),適應各種惡劣環(huán)境條��
R3620DR-S 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),如降壓、升壓和反激拓撲�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和保護電路�
5. 新能源領(lǐng)域,例如太陽能逆變器和電動汽車充電模塊�
RFP50N06LE, IRF540N, FDP5500