R1191N050D-TR-FE 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高壓、高頻氮化鎵 (GaN) �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET)。該器件采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),具有卓越的開關(guān)性能和高功率密度,適用于需要高效能和快速切換的電源�(yīng)�。它專為高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì),可顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱損��
這款芯片采用小型表面貼裝封裝,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)�,同�(shí)具備低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):R1191N050D-TR-FE
類型:GaN FET
漏源極電�(Vds)�500V
連續(xù)漏極電流(Id)�1.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�190mΩ
柵極電荷(Qg)�32nC
總柵極電�(Qgtot)�45nC
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
功耗:10W
R1191N050D-TR-FE 的主要特性包括高效的開關(guān)性能,能夠顯著降低開�(guān)損�,并支持高達(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率。其低導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損耗,從而提高了整體系統(tǒng)的效�。此外,該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能。得益于 GaN 材料的優(yōu)異性能,R1191N050D-TR-FE 在體積更小的情況下提供了更高的功率密度,非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
R1191N050D-TR-FE 還具有內(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性。其符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)備制造環(huán)�。總體而言,R1191N050D-TR-FE 是一種高性能、可靠且易于使用� GaN 器件,適用于各種高要求的�(yīng)用領(lǐng)��
R1191N050D-TR-FE 主要�(yīng)用于高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、服�(wù)器電�、通信電源、工�(yè)電源、不間斷電源(UPS)、太�(yáng)能逆變器以及電�(dòng)車輛中的車載充電器等。由于其高效率和高功率密度,這款 GaN FET 特別適合那些需要在有限空間�(nèi)�(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)換的�(shè)�(jì)。此外,它還可用于電�(jī)�(qū)�(dòng)器、無(wú)線充電系�(tǒng)和其他需要快速開�(guān)和低損耗的�(chǎng)��
R1190N050D-TR-FE
R1200N050D-TR-FE