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QS8M51TR 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:36:27 查看 閱讀�32

QS8M51TR 是一款高性能、低功耗的 8 位微控制�,基于經(jīng)典的 8051 �(nèi)核架�(gòu)�(shè)計。該芯片具有豐富的外�(shè)資源和高效的指令�,適用于多種嵌入式應(yīng)用場�。其工作電壓范圍寬廣,支持工�(yè)級溫度范�,能夠滿足復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運行需��
  此外,QS8M51TR 集成了高精度 ADC、UART、SPI � I2C 等多種通信接口,使得它在消費電�、工�(yè)控制和物�(lián)�(wǎng)�(shè)備中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

工作電壓�2.0V - 5.5V
  �(nèi)核:8051
  主頻:最� 24MHz
  Flash 容量�64KB
  SAM 容量�4KB
  I/O 口數(shù)量:32
  ADC 分辨率:10 �
  工作溫度�-40� � +85�

特�

QS8M51TR 的主要特性包括:
  1. 高效� 8051 �(nèi)�,兼容傳�(tǒng) 8051 指令集,方便代碼移植與開�(fā)�
  2. 提供多達(dá) 32 個可編程 I/O 引腳,支持多種輸入輸出模�,靈活配��
  3. �(nèi)置高精度 10 � ADC,最多支� 8 路模擬信號輸�,適合數(shù)�(jù)采集場景�
  4. 支持 UART、SPI � I2C 等主流通信�(xié)�,便于與其他外設(shè)互聯(lián)�
  5. 工作電壓范圍寬(2.0V - 5.5V�,適�(yīng)多種供電條件�
  6. �(nèi)部集成看門狗定時器和低功耗模�,有助于提高系統(tǒng)可靠性并降低功��
  7. 提供工業(yè)級溫度范圍(-40� � +85℃),確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
  8. 片上 Flash � SRAM 容量充足,分別達(dá)� 64KB � 4KB,滿足程序存儲及運行需求�

�(yīng)�

QS8M51TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)�,如家用電器、玩具和遙控�(shè)��
  2. 工業(yè)自動化控�,例如傳感器�(shù)�(jù)采集、電機驅(qū)動和過程�(jiān)控�
  3. 物聯(lián)�(wǎng)終端節(jié)�,提供低功�、高可靠性的嵌入式解決方案�
  4. �(yī)療設(shè)�,例如便攜式健康�(jiān)測裝置�
  5. 電源管理模塊,用于智能充電器或電池管理系�(tǒng)�
  由于其豐富的外設(shè)和強大的性能,QS8M51TR 成為多領(lǐng)域應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

QS8M51TQ, QS8M51TA

qs8m51tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

qs8m51tr資料 更多>

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  • 描述
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qs8m51tr參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�37,395�(xiàn)�
  • 價格1 : �11.37000剪切帶(CT�3,000 : �4.83815卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置N � P 溝道
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�100V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2A�1.5A
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)325 毫歐 @ 2A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)4.7nC @ 5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)290pF @ 25V
  • 功率 - 最大�1.5W
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商器件封�TSMT8