QS6M3TR是一款高性能的MOSFET晶體�,通常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載切換等�(yīng)用。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承受能力,適合在中高功率場景下工作�
這款MOSFET為N溝道增強型場效應(yīng)晶體管,其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)計能夠有效降低開�(guān)損耗并提升效率,非常適合需要高頻工作的電路�(huán)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷�17nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
QS6M3TR的主要特點是低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,這使得它能夠在高效能�(zhuǎn)換應(yīng)用中減少功率損�。此�,該器件具備良好的熱�(wěn)定性和電氣可靠�,能夠適�(yīng)較寬的工作溫度范��
由于采用了先進的制造工�,QS6M3TR還擁有較小的寄生電容和電�,從而進一步提升了其動�(tài)性能表現(xiàn)。這些特性使其成為消費電�、工�(yè)控制以及汽車電子�(lǐng)域中的理想選��
QS6M3TR廣泛�(yīng)用于多種電力電子系統(tǒng)�,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動電�
4. 負載切換模塊
5. 汽車電子�(shè)�
6. 工業(yè)自動化控�
7. 通信電源解決方案
IRFZ44N
FDP5800
AO3400