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QM2542N5 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 13:04:09 查看 閱讀:17

QM2542N5是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,廣泛應用于電源管理、開關電路以及功率轉換等領域。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  QM2542N5屬于N溝道增強型MOSFET,其工作電壓范圍較寬,適用于多種類型的電子設備。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款元器件在消費類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制和通信設備中得到了廣泛應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:10A
  導通電阻:2.5mΩ
  總柵極電荷:35nC
  開關速度:10ns
  封裝形式:TO-220

特性

QM2542N5具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻,有助于減少導通損耗,提高整體效率。
  2. 高速開關能力,適合高頻應用環(huán)境。
  3. 較高的雪崩耐量,增強了器件在異常條件下的耐用性。
  4. 封裝形式堅固耐用,適合表面貼裝及傳統(tǒng)焊接工藝。
  5. 寬電壓范圍,能夠滿足不同應用場景的需求。
  6. 穩(wěn)定的工作特性和良好的溫度適應能力,確保在極端環(huán)境下的可靠運行。

應用

QM2542N5主要應用于以下領域:
  1. 開關電源中的功率開關。
  2. 電機驅動電路中的功率級控制。
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
  4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護。
  5. 通信設備中的信號放大與處理。
  6. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
  7. LED照明系統(tǒng)的驅動電路設計。

替代型號

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP5580
  IXFN10N60T
  AO3400

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