QM01N65U是一款高性能的MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和功率�(zhuǎn)換等場景。該器件具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合需要高效功率管理的應用�(huán)境�
這款MOSFET采用了先進的制造工�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其耐壓能力高達650V,同時具備優(yōu)異的抗雪崩能力和可靠性,能夠在嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)��
類型:N溝道
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�1A
導通電�(Rds(on))�650mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�4W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+150�
QM01N65U具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力�650V),適用于高壓應用場��
2. 極低的導通電阻(650mΩ典型值),可減少導通損��
3. 快速開�(guān)速度,有助于提高工作效率并降低電磁干擾�
4. 強大的抗雪崩能力,增強在異常條件下的可靠��
5. 小型化封裝設�,節(jié)省PCB空間�
6. �(wěn)定的電氣性能,適合長時間運行的應用需求�
QM01N65U適用于多種功率電子領�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 電池保護電路中的負載切換�
3. 電機�(qū)動器中的逆變器橋臂組��
4. LED照明系統(tǒng)的恒流控制�
5. 充電器和適配器中的同步整流電��
6. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
IRF840,
FQP17N50,
STP1NL65,
FDC6550N