QFE2520-0-34WLNSP-HR 是一款高性能的射頻功率晶體管,專為需要高效率和寬帶寬的應用而設計。該器件基于先進的LDMOS技術制�,能夠在廣泛的頻率范圍內(nèi)提供卓越的輸出功率和增益性能。它適用于蜂窩通信基站、無線電通信系統(tǒng)以及其他高頻功率放大器應用�
型號:QFE2520-0-34WLNSP-HR
封裝類型:表面貼裝(WLNSP�
工作頻率范圍�1800 MHz - 2500 MHz
輸出功率�34 dBm
增益�15 dB
效率:超�50%
供電電壓�28 V
最大功耗:75 W
輸入匹配阻抗�50 Ω
輸出匹配阻抗�50 Ω
存儲溫度范圍�-55� � +150�
QFE2520-0-34WLNSP-HR采用增強型LDMOS技�,具備高擊穿電壓和低熱阻特�,從而確保了其在高頻條件下的�(wěn)定性和可靠性�
該器件具有良好的線性度表現(xiàn),能夠有效減少信號失真,適合用于對信號質(zhì)量要求較高的場景�
此外,其�(nèi)置匹配網(wǎng)絡簡化了電路設計,并且優(yōu)化了增益與帶寬之間的平衡�
通過精確的工藝控制,此器件還實現(xiàn)了較低的寄生效應,從而提高了整體性能表現(xiàn)�
為了滿足不同的應用場景需�,該芯片支持多種�(diào)制模式,包括但不限于GSM、CDMA、WCDMA以及LTE等標��
QFE2520-0-34WLNSP-HR廣泛應用于無線通信領域,尤其是蜂窩基站中的射頻功率放大器部��
具體應用包括�
- 蜂窩基站�(fā)射機
- 固定無線接入設備
- 公共移動無線電系�(tǒng)(PMR�
- 軍事通信及雷達系�(tǒng)
- 測試與測量設備中的射頻信號源
由于其出色的效率和功率密�,該芯片也非常適合用作高性能射頻能量轉換的核心組��
QFE2520-0-34WLNSP-LR
QFE2520-0-34WLNSP-MR