QFE-2101-0-15BWLNSP-TR-70-0 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,采用增�(qiáng)� HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)。該器件專為高頻、高效應(yīng)用而優(yōu)�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和射頻功率放大器等領(lǐng)�。其封裝形式為表面貼裝類�,具有低寄生電感和良好的散熱性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�80nC
�(kāi)�(guān)頻率:超�(guò) 3MHz
封裝類型:WLCSP (晶圓�(jí)芯片尺寸封裝)
工作溫度范圍�-55� � +150�
該器件采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),能夠提供比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的效率和更快的開(kāi)�(guān)速度�
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 70mΩ,在大電流條件下減少功��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:開(kāi)�(guān)頻率可達(dá) 3MHz 以上,適合高頻應(yīng)��
4. 小型化封裝:WLCSP 封裝有助于節(jié)� PCB 空間,并降低寄生效應(yīng)�
5. 寬溫范圍:能夠在極端溫度�(huán)境下可靠�(yùn)�,適�(yīng)工業(yè)和汽車領(lǐng)域的需��
6. 集成保護(hù)功能:內(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高系�(tǒng)�(wěn)定性�
這款 GaN 功率晶體管廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源:如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,提升功率密度和效率�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高效電�(jī)控制,特別適合電�(dòng)車和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備�
3. 射頻功率放大器:滿足�(wú)線通信基站等高頻高功率�(chǎng)景需��
4. 充電器與適配器:支持快速充電方案,減小體積并提高轉(zhuǎn)換效��
5. 太陽(yáng)能逆變器:�(yōu)化光伏系�(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換效��
QFE-2101-0-10BWLNSP-TR-50-0
QFE-2102-0-15BWLNSP-TR-70-0
GAN042-650WSA