Q6R1CXXG24E 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高效能、低功耗的 MOSFET 芯片,屬� U-MOS IX 系列。該系列以高可靠性、高效率和小封裝為特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電源管理場景�。這款芯片采用 TO-252(DPAK) 封裝形式,適合表面貼裝工�,能夠有效節(jié)省電路板空間�
該器件主要用作開�(guān)元件或負(fù)載驅(qū)�(dòng)�,在消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)域均有廣泛應(yīng)�。其�(shè)�(jì)注重降低�(dǎo)通電�,從而減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
型號(hào):Q6R1CXXG24E
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.8mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
總功�(Ptot)�110W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
Q6R1CXXG24E 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低�(dǎo)通損耗并提升效率�
2. 高耐壓能力,最大漏源電壓達(dá)� 30V,適用于多種電壓等級(jí)的應(yīng)用�
3. 支持大電流運(yùn)行,額定持續(xù)漏極電流高達(dá) 16A,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定工作�
4. �(yōu)異的熱性能,最高結(jié)溫可�(dá) 175°C,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
5. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗并提升了動(dòng)�(tài)性能�
6. 表面貼裝封裝,便于自�(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)節(jié)� PCB 空間�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
Q6R1CXXG24E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)或繼電器替代方案�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池保�(hù)電路�
6. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制模塊�
其卓越的性能使其成為需要高效率和可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
Q6R1CXAQ24E, Q6R1CXXG24D