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Q12F1D472MN0B0S0N0 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 10:08:17 查看 閱讀:5

Q12F1D472MN0B0S0N0 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開關(guān)和功率放大等應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種電源管理場景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)。
  該型號屬于某廠商的高效能功率 MOSFET 系列,采用先進(jìn)的制造工藝以實(shí)現(xiàn)卓越的電氣性能和可靠性。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):15A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):38nC
  總功耗(Ptot):125W
  工作結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

Q12F1D472MN0B0S0N0 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損耗并提高效率。
  2. 高速開關(guān)能力,使得它非常適合高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能。
  4. 強(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,便于散熱管理。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動電路。
  3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動控制、負(fù)載切換和電池管理。
  4. 大功率 LED 驅(qū)動電路。
  5. 各類保護(hù)電路,包括過流保護(hù)和短路保護(hù)。
  由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,該器件在高功率密度和高效能需求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號

Q12F1D472MN0A0S0N0, IRF540N, FDP5500

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