PZM9.1NB2 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先進的制造工藝設(shè)�,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應用。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該型號通常用于電源管理�(lǐng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電機驅(qū)動器以及其他需要高效開�(guān)操作的應用場��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):90V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):38A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
總柵極電荷(Qg):46nC
輸入電容(Ciss):2750pF
輸出電容(Coss):108pF
開關(guān)時間:ton=14ns / toff=19ns
PZM9.1NB2 的主要特點是其卓越的電氣性能與可靠性。它采用了最新的半導體技�(shù),以實現(xiàn)以下�(yōu)勢:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),從而減少傳導損�,提高整體效��
2. 快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損��
3. 高擊穿電壓確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
4. 較小的封裝尺�,適合緊湊型�(shè)計需求�
5. �(yōu)秀的熱性能,保證在高負載條件下的持�(xù)工作能力�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持長期使用�
PZM9.1NB2 廣泛應用于各種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 電動車輛及工�(yè)自動化中的電機驅(qū)動控��
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
4. LED 照明�(qū)動電路中的高效開�(guān)器件�
5. 電池充電管理系統(tǒng)中的充放電路徑管��
6. 各種高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器中的核心組件�
PZM9.1NB2L, IRFZ44N, FDP55N06