PW328B-30G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采� N 溝道增強型設計。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于高頻開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅(qū)動以及負載開關等應用領域�
其封裝形式通常� TO-252 � DPAK,具備良好的散熱性能,能夠滿足高功率密度的設計需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關速度�10ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
PW328B-30G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可有效降低功�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,適用于高頻應用場景,減少電磁干擾和熱損耗�
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的電氣性能�
4. 封裝設計緊湊,有助于節(jié)� PCB 空間,同時提供優(yōu)異的散熱能力�
5. �(nèi)置反向二極管功能,進一步優(yōu)化了�(xù)流回路性能�
PW328B-30G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源適配器及充電器中的同步整流電��
2. 電動汽車和電動工具中的電機驅(qū)動模��
3. 高效 DC-DC 轉換器的核心開關元件�
4. 各類工業(yè)設備中的負載控制與保護電��
5. LED �(qū)動器以及其他需要高效率、低損耗的功率轉換場景�
PW328A-30G, IRF3205, AO3400