PVG3A503C01R00 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式制造工�。它主要用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。這款芯片以其出色的電氣特性和高可靠性著稱,能夠在高頻工作條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
該器件具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率�
型號(hào):PVG3A503C01R00
類型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵極源極電�(Vgss):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�47A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型值)
總柵極電�(Qg)�90nC
開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)� 8ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 12ns
封裝形式:TO-247-3
PVG3A503C01R00 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅�1.2mΩ(典型值),這顯著降低了功率損耗,提升了整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),其具備快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
此外,該MOSFET具有良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)。由于采用了溝槽式技�(shù),芯片能�?qū)崿F(xiàn)更小的體積與更高的集成度,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)。PVG3A503C01R00還具備強(qiáng)大的短路保護(hù)能力,可承受至少10μs的短路時(shí)間而不損壞,�(jìn)一步提高了�(chǎn)品的可靠性和安全性�
在實(shí)際使用中,此款MOSFET表現(xiàn)出優(yōu)秀的動(dòng)�(tài)性能,包括較低的柵極電荷和輸出電�,從而減少開�(guān)過程中的能量損失并優(yōu)化效��
PVG3A503C01R00 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)�,主要包括但不限于以下幾種:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效能量轉(zhuǎn)�,適用于筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器等多種�(shè)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在汽車電子、工�(yè)控制及通信電源中發(fā)揮重要作��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類型的電機(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)解決方案�
4. 充電器:如手�(jī)快充、無(wú)線充電裝置中的關(guān)鍵元件�
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):用作電池管理系�(tǒng)(BMS)中的核心組件之一,管理電池充放電過程�
由于其卓越的性能,PVG3A503C01R00 成為了眾多設(shè)�(jì)工程師首選的功率MOSFET方案�
PVG3A502C01R00
PVG3A503C02R00
IRF540N
FDP5800