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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PVG3A503C01R00

PVG3A503C01R00 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:08:39 查看 閱讀�30

PVG3A503C01R00 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式制造工�。它主要用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。這款芯片以其出色的電氣特性和高可靠性著稱,能夠在高頻工作條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  該器件具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):PVG3A503C01R00
  類型:N-Channel Power MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵極源極電�(Vgss):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�47A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型值)
  總柵極電�(Qg)�90nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)� 8ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 12ns
  封裝形式:TO-247-3

特�

PVG3A503C01R00 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅�1.2mΩ(典型值),這顯著降低了功率損耗,提升了整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),其具備快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  此外,該MOSFET具有良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)。由于采用了溝槽式技�(shù),芯片能�?qū)崿F(xiàn)更小的體積與更高的集成度,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)。PVG3A503C01R00還具備強(qiáng)大的短路保護(hù)能力,可承受至少10μs的短路時(shí)間而不損壞,�(jìn)一步提高了�(chǎn)品的可靠性和安全性�
  在實(shí)際使用中,此款MOSFET表現(xiàn)出優(yōu)秀的動(dòng)�(tài)性能,包括較低的柵極電荷和輸出電�,從而減少開�(guān)過程中的能量損失并優(yōu)化效��

�(yīng)�

PVG3A503C01R00 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)�,主要包括但不限于以下幾種:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效能量轉(zhuǎn)�,適用于筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器等多種�(shè)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在汽車電子、工�(yè)控制及通信電源中發(fā)揮重要作��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類型的電機(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)解決方案�
  4. 充電器:如手�(jī)快充、無(wú)線充電裝置中的關(guān)鍵元件�
  5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):用作電池管理系�(tǒng)(BMS)中的核心組件之一,管理電池充放電過程�
  由于其卓越的性能,PVG3A503C01R00 成為了眾多設(shè)�(jì)工程師首選的功率MOSFET方案�

替代型號(hào)

PVG3A502C01R00
  PVG3A503C02R00
  IRF540N
  FDP5800

pvg3a503c01r00推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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pvg3a503c01r00參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電位�(jì),可變電阻器
  • 家庭微調(diào)�
  • 系列PVG3
  • 電阻(歐姆)50k
  • 功率(瓦特)0.25W�1/4W
  • 容差±20%
  • 溫度系數(shù)±150ppm/°C
  • 匝數(shù)單路
  • �(diào)節(jié)�頂部�(diào)節(jié)
  • 電阻材料金屬陶瓷
  • 安裝類型表面貼裝
  • 端接類型J 引線
  • 包裝Digi-Reel?
  • 尺寸/尺寸方形 - 0.142" L x 0.134" W x 0.079" H�3.60mm x 3.40mm x 2.00mm�
  • 其它名稱490-2656-6