PTVSHC3N4V8UA 是一� N 河道垂直功率 MOSFET,采� Infineon � CoolMOS 技�(shù)。該器件�(shè)�(jì)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�,具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高能效的特�(diǎn)。它支持高達(dá) 400V 的漏源電�,并�(jié)合了快速開�(guān)特性和�(jiān)固的�(jié)�(gòu),適用于需要高性能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)��
這款 MOSFET 采用� SMD 封裝,便于表面貼裝工�,同�(shí)具備卓越的熱性能,使其能夠適�(yīng)緊湊型設(shè)�(jì)�
型號:PTVSHC3N4V8UA
封裝:DPAK (TO-263-3)
Vds(漏源電壓)�400 V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�75 mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):12 A
Qg(總柵極電荷):19 nC
EAS(雪崩能量)�1.3 J
fSW(最大開�(guān)頻率):500 kHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
PTVSHC3N4V8UA 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 提高了系�(tǒng)的效�,減少了功率損��
2. 高速開�(guān)能力使得其非常適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
3. 出色的熱性能和高�(jié)溫能力(最高可�(dá) 175°C),確保在高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 表面貼裝封裝 (SMD),簡化了自動(dòng)化生�(chǎn)流程并降低了制造成本�
7. �(jié)� CoolMOS 技�(shù),提供更高的功率密度和更小的解決方案尺寸�
PTVSHC3N4V8UA 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無刷電�(jī) (BLDC) 或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. �(fù)載開�(guān):實(shí)�(xiàn)對不同負(fù)載的安全切換,避免過流或短路損害�
4. 工業(yè)逆變器:在太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中作為關(guān)鍵組��
5. 汽車電子:如車載充電器、LED 照明�(qū)�(dòng)和車身控制模��
6. 家用電器:空�(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等�(shè)備中的電源管理部分�
IPD060N04S4L, PTVHR10N4V8, IRFP4468