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PTVSHC3N15VU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 19:16:20 查看 閱讀�33

PTVSHC3N15VU 是一款基于超�(jié)技�(shù)的高壓功� MOSFET,專為高效率和高頻率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制程工�,能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)性能,適合于電源適配器、LED �(qū)�(dòng)器以� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)��
  超結(jié)�(jié)�(gòu)使得該器件能夠在高壓條件下保持出色的能效表現(xiàn),并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

型號(hào):PTVSHC3N15VU
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):650 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�720 mΩ
  ID(持�(xù)漏電流)�4.8 A
  Qg(柵極電荷)�18 nC
  EAS(雪崩能量)�1.0 J
  VGS(柵源極電壓):±20 V
  fT(特征頻率)�230 kHz
  �(jié)溫范圍:-55°C to +175°C

特�

PTVSHC3N15VU 的主要特�(diǎn)是其基于超結(jié)技�(shù)的設(shè)�(jì),這一�(shè)�(jì)顯著降低了導(dǎo)通電� RDS(on),從而減少了�(dǎo)通損耗并提高了整體效率。同�(shí),該器件具有較高的擊穿電壓(650V),適用于高壓應(yīng)用場��
  此外,它還擁有快速開�(guān)能力,低柵極電荷 Qg 和相�(duì)較小的寄生電�,這些特點(diǎn)使其在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色。該器件還支持較高的雪崩能量(EAS=1.0J�,增�(qiáng)了其在異常工作條件下的魯棒性�
  由于采用了優(yōu)化的封裝形式,PTVSHC3N15VU 能夠有效地散�(fā)熱量,確保長期運(yùn)行時(shí)的可靠�。總體而言,這款 MOSFET �(jié)合了高效�、高可靠性和緊湊的尺�,非常適合各種電力電子設(shè)��

�(yīng)�

PTVSHC3N15VU 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高電壓處理能力的場景,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. LED 照明�(qū)�(dòng)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  5. 太陽能微逆變�
  6. PFC(功率因�(shù)校正)電�
  7. 充電器和適配�
  其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特�,使其特別適合于要求高能效和小體積的�(shè)�(jì)方案�

替代型號(hào)

PTVSHC3N15VDU, FDP18N65A, IPW60R099P7

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