時間�2025/4/28 18:30:32
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PTVSHC3N12VU是一種基于超結技術的高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于高頻開關應用和高效率電源轉換場景。該器件采用TO-263封裝，具有低導通電阻、快速開關特性和高耐壓的特�。它通常用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等應用��
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流�3.4A
導通電阻：3.9Ω
柵極電荷�10nC
輸入電容�370pF
總耗散功率�18W
工作結溫范圍�-55℃至+175�
PTVSHC3N12VU采用了先進的超結技�，使得其在高電壓條件下仍能保持較低的導通電�，從而減少傳導損耗。此�，該器件具備快速開關特�，有助于降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
其高耐壓能力使其非常適合應用于需要承受高電壓的工�(yè)場景，例如太陽能逆變器、電動汽車充電設備和不間斷電源（UPS�。同時，其小型化的封裝設計也便于在緊湊型電路板上進行布局�
該器件還具備良好的熱�(wěn)定�，能夠在較寬的工作溫度范圍內可靠運行，進一步提升了系統(tǒng)的魯棒��
PTVSHC3N12VU廣泛應用于各類電力電子設備中，包括但不限于以下領域：
- 開關電源（SMPS�
- DC-DC轉換�
- 電機驅動
- 太陽能逆變�
- 不間斷電源（UPS�
- 電動車輛充電系統(tǒng)
由于其高耐壓和低導通電阻特�，這款MOSFET特別適合用于對效率和可靠性要求較高的高壓應用�(huán)境�
PTVSHC3N12TDP, FCH03N120, IRFB7824PbF
