PTU6P15G4是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等場景。該器件采用TO-263封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻應用中提供高效的性能表現(xiàn)�
PTU6P15G4屬于N溝道增強型MOSFET,其設計�(yōu)化了熱性能和電氣性能,能夠滿足工�(yè)和消費類電子產品的嚴格要��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�18nC
開關時間:開啟時� 70ns,關斷時� 30ns
工作結溫范圍�-55� � +150�
1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損耗并提高整體效率�
2. 高速開關能力,適合高頻應用場合�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持性能�
4. 小巧的TO-263封裝設計,便于安裝并節(jié)省電路板空間�
5. 具備較強的抗靜電能力,提高了器件在實際應用中的可靠��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產品制造需求�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開關功��
2. DC-DC轉換器,包括降壓、升壓和反相拓撲�
3. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或步進電機�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,實�(xiàn)充放電保護及負載切換�
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率開關應��
6. 消費類電子產品的高效功率管理模塊�
IRFZ44N, FDP15U20A, AO3400