PTPM754DB是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其出色的開�(guān)特性和熱性能使其成為高效能電源管理的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:1.9mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-263
PTPM754DB擁有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,其快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷可顯著降低開�(guān)損�。該器件還具備出色的雪崩能力和熱�(wěn)定�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��
PTPM754DB的設(shè)�(jì)注重散熱性能,能夠有效管理高功率�(yīng)用中的熱量積聚問�。它支持脈寬�(diào)制(PWM)以及其他高頻開�(guān)模式,適合于要求苛刻的工�(yè)與汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制電路、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路以及各種需要大電流和高效率的功率管理系�(tǒng)中。同�(shí),它也常用于逆變器設(shè)�(jì)和太陽能微逆變器等新能源相�(guān)�(lǐng)域。由于其卓越的性能表現(xiàn),PTPM754DB特別適合�(duì)能耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)景�
IRF740,
STP75NF06,
FDP75N06L,
IXYS: IXFR75N06T2