PTH05050Y 是一款高性能� N � MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器等需要高效能功率控制的場景。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠顯著提升電路效率并減少能量損��
PTH05050Y 的封裝形式為 TO-220,這種封裝具有良好的散熱性能,適合大功率應用場景。此�,它支持高頻率操作,使其非常適合現代電子設備中的功率管理需��
型號:PTH05050Y
類型:N � MOSFET
最大漏源電� (Vds)�50 V
最大柵源電� (Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�50 A
導通電� (Rds(on))�4 mΩ(典型�,當 Vgs = 10V 時)
總功耗:175 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝:TO-220
PTH05050Y 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低功率損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,適用于高頻應用場合,可有效減少開關損��
3. 高電流承載能�,能夠承受高� 50A 的連續(xù)漏極電流�
4. 支持寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運行好的熱性能設計,結� TO-220 封裝,提供出色的散熱表現�
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
PTH05050
1. 開關電源 (SMPS),包� AC/DC � DC/DC 轉換器�
2. 電機驅動與控�,例如無刷直流電� (BLDC) 和步進電��
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng),如啟動馬達和電動助力轉向系�(tǒng) (EPS)�
6. 各類負載開關和保護電��
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L