PSMN4R0-60YS 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� NexFET 系列,由安森美半導體(ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用先進的制造工藝設�,具備低導通電阻和高效率的特點,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應用場合�
PSMN4R0-60YS 的封裝形式為 DPAK(TO-252),其工作電壓高� 60V,能夠滿足大多數(shù)中低壓最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�43A
導通電阻(典型值)�4.0mΩ
柵極電荷(典型值)�17nC
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
PSMN4R0-60YS 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,使其適合于大功率應用場景�
3. 快速開�(guān)性能,可有效減少開關(guān)損��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
5. 封裝設計支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自動化生產(chǎn)和緊湊型設計�
6. 可靠性高,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運��
PSMN4R0-60YS 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. 工業(yè)設備中的功率�(zhuǎn)換模塊�
PSMN4R0-60YL, PSMN4R0-60YLD