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PSMN3R5-30LL 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:47:30 查看 閱讀�25

PSMN3R5-30LL是Nexperia(前身為恩智浦半�(dǎo)體的一部分)生�(chǎn)的MOSFET器件。該器件屬于P溝道的功率MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,適用于廣泛的電源管理應(yīng)�,如�(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)�。其�(shè)計能夠承受較高的電壓并提供高效的電流控制,同時封裝形式為LFPAK88,有助于散熱和節(jié)省PCB空間�
  PSMN3R5-30LL的主要優(yōu)勢在于它的低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,這使得它在需要高能效的應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

型號:PSMN3R5-30LL
  類型:P溝道MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�3.2mΩ(典型�,在Vgs=-10V時)
  Id(連續(xù)漏極電流):-37A(最大��25°C�
  功耗:126W
  封裝:LFPAK88(Power-SO8兼容�
  工作溫度范圍�-55°C�175°C

特�

PSMN3R5-30LL是一款高性能P溝道MOSFET,具有以下主要特點:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):該器件在Vgs=-10V時的典型�(dǎo)通電阻僅�3.2mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效��
  2. 快速開�(guān)能力:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,PSMN3R5-30LL能夠在高頻應(yīng)用中保持高效�(yùn)行�
  3. 高電流處理能力:支持高達(dá)37A的連續(xù)漏極電流,確保了在大電流�(fù)載下的穩(wěn)定性能�
  4. 小型化與高熱效率:采用LFPAK88封裝,不僅減少了PCB占用面積,還提供了良好的散熱性能�
  5. 寬溫工作范圍:可以在-55°C�175°C的溫度范圍內(nèi)可靠工作,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

PSMN3R5-30LL適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于:
  1. �(fù)載開�(guān):用于動�(tài)地接通或斷開電路中的不同�(fù)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為功率開�(guān),實�(xiàn)電壓�(zhuǎn)換功��
  3. 電機(jī)�(qū)動:控制小型直流電機(jī)的啟動、停止及速度�(diào)節(jié)�
  4. 電池保護(hù)電路:防止過�、過放以及其他異常情況對電池組造成損害�
  5. 便攜式設(shè)備中的電源管理:例如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器等�
  6. 汽車電子系統(tǒng):如車身控制模塊、電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)等需要高可靠性組件的�(yīng)用場景�

替代型號

PSMN2R5-30YL, PSMN2R8-30PL

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