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PSMN2R8-80BS,118 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 16:08:22 查看 閱讀�20

PSMN2R8-80BS 是一� N 溝道功率 MOSFET,由 NXP(恩智浦)生�(chǎn)。該器件采用 DPAK 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理�(yīng)�。其�(shè)計優(yōu)化了在高頻開�(guān)�(huán)境下的性能表現(xiàn),并且具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
  這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池管理系�(tǒng)等。它能夠承受較高的電壓和電流,同時保持較低的功耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�118A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�46nC(典型值)
  總電容:3590pF(輸入電� Ciss�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:DPAK(TO-252�

特�

PSMN2R8-80BS 提供了非常低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高效�。同時,它的高電流處理能力和快速開�(guān)特性使其非常適合用于高性能電源�(zhuǎn)換電路中�
  此外,該器件具備良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下持續(xù)運行。NXP 的制造工藝確保了該芯片的可靠性和一致�,減少了失效�(fēng)險�
  PSMN2R8-80BS 的低寄生電感和電容設(shè)計也進一步提升了開關(guān)性能,降低了電磁干擾(EMI)。這些特點使得該器件成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

PSMN2R8-80BS 廣泛�(yīng)用于各類工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。具體應(yīng)用包括但不限于以下:
  - 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
  - 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)�
  - 筆記本電腦和服務(wù)器的�(fù)載開�(guān)
  - 電池保護電路和能量存儲系�(tǒng)中的開關(guān)元件
  由于其強大的電流承載能力與低 Rds(on),該器件特別適合需要大電流輸出的應(yīng)用場��

替代型號

PSMN2R0-80BS, PSMN2R9-80BSE

psmn2r8-80bs,118推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

psmn2r8-80bs,118參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs139nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9961pF @ 40V
  • 功率 - 最�306W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱568-9477-6