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PSMN2R8-40PS 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 1:32:18 查看 閱讀:6

PSMN2R8-40PS 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用小型 PQFN3333-10 封裝。該器件主要應(yīng)用于需要高效能和低導(dǎo)通電阻的場景,例如負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池供電設(shè)備等。它具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,適合高效率要求的設(shè)計。
  該器件由 NXP(恩智浦)生產(chǎn),其設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)對功率密度和能效的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:9A
  導(dǎo)通電阻(典型值):2mΩ
  柵極電荷:16nC
  開關(guān)速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

PSMN2R8-40PS 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
  2. 支持高頻率開關(guān)應(yīng)用,具備較快的開關(guān)速度和較低的柵極電荷。
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性。
  4. 小尺寸 PQFN3333-10 封裝,節(jié)省 PCB 空間,非常適合緊湊型設(shè)計。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各類現(xiàn)代電子設(shè)備中。
  6. 提供較高的電流承載能力,能夠承受瞬時峰值電流沖擊。
  這款功率 MOSFET 的綜合表現(xiàn)使其成為許多高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

PSMN2R8-40PS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開關(guān)。
  2. 筆記本電腦適配器及充電器中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
  3. 便攜式設(shè)備中的電池管理系統(tǒng)。
  4. 高效電機(jī)驅(qū)動電路。
  5. 工業(yè)控制中的功率級切換。
  6. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源模塊。
  其低導(dǎo)通電阻和高效率特性使其特別適合需要長時間運行且能耗敏感的應(yīng)用環(huán)境。

替代型號

PSMN2R0-40PS, PSMN2R9-40PS

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