PSMN2R8-40PS 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用小型 PQFN3333-10 封裝。該器件主要應(yīng)用于需要高效能和低導(dǎo)通電阻的場景,例如負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池供電設(shè)備等。它具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,適合高效率要求的設(shè)計。
該器件由 NXP(恩智浦)生產(chǎn),其設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)對功率密度和能效的需求。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:9A
導(dǎo)通電阻(典型值):2mΩ
柵極電荷:16nC
開關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
PSMN2R8-40PS 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
2. 支持高頻率開關(guān)應(yīng)用,具備較快的開關(guān)速度和較低的柵極電荷。
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性。
4. 小尺寸 PQFN3333-10 封裝,節(jié)省 PCB 空間,非常適合緊湊型設(shè)計。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各類現(xiàn)代電子設(shè)備中。
6. 提供較高的電流承載能力,能夠承受瞬時峰值電流沖擊。
這款功率 MOSFET 的綜合表現(xiàn)使其成為許多高性能電源管理應(yīng)用的理想選擇。
PSMN2R8-40PS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開關(guān)。
2. 筆記本電腦適配器及充電器中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
3. 便攜式設(shè)備中的電池管理系統(tǒng)。
4. 高效電機(jī)驅(qū)動電路。
5. 工業(yè)控制中的功率級切換。
6. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源模塊。
其低導(dǎo)通電阻和高效率特性使其特別適合需要長時間運行且能耗敏感的應(yīng)用環(huán)境。
PSMN2R0-40PS, PSMN2R9-40PS