時間：2025/6/9 14:56:17
閱讀：2
PSMN2R0-30YLDX是一款N溝道增強型功率MOSFET，由Nexperia（原飛利浦半導體）生產。該器件采用LFPAK88封裝形式，具有低導通電阻和高效率的特性，適用于多種開關應用場合，如DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動以及電源管理等。
這款MOSFET在導通狀態(tài)下能夠提供極低的電阻值，從而減少能量損耗并提升系統效率。同時，其優(yōu)化的封裝設計確保了良好的散熱性能和可靠性。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：61A
導通電阻：2mΩ
柵極電荷：45nC
總電容：370pF
工作溫度范圍：-55℃至175℃
PSMN2R0-30YLDX擁有非常低的導通電阻，這使其非常適合需要高效能和低功耗的應用場景。此外，該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐受短路的能力。
它的LFPAK88封裝是一種表面貼裝技術，支持自動化裝配流程，同時也保證了較低的寄生電感，這對于高頻開關應用非常重要。
另外，此器件的工作結溫范圍寬廣，從-55℃到175℃，這意味著它能夠在極端環(huán)境條件下正常運行，進一步提高了系統的可靠性和耐用性。
該芯片主要應用于汽車電子領域中的各種電源管理方案，例如電池管理系統、啟動停止系統、DC-DC轉換器以及LED驅動等。
除此之外，它也適合工業(yè)控制設備中的負載切換、電機控制以及其他需要高性能功率開關的應用場合。
由于其低導通電阻和高效的特性，PSMN2R0-30YLDX還可以用于消費類電子產品中的適配器、充電器以及計算機外圍設備等領域。
PSMN2R0-30YLHX, PSMN2R5-30YLDX, PSMN2R9-30YLD
