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PSMN1R4-30YLDX 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 12:14:48 查看 閱讀:12

PSMN1R4-30YLDX是Nexperia公司生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管,屬于PowerMOS系列。該器件采用DPAK(TO-263)封裝形式,適用于高效率開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換場景。其設(shè)計主要針對低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性進(jìn)行了優(yōu)化,廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
  PSMN1R4-30YLDX是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其典型特點(diǎn)包括較低的導(dǎo)通電阻、較高的電流承載能力和出色的熱性能,適合在要求苛刻的功率管理電路中使用。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:72A
  導(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷:85nC
  輸入電容:2900pF
  結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:DPAK(TO-263)

特性

PSMN1R4-30YLDX具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流條件下保持高效運(yùn)行,減少功率損耗。
  2. 高額定電流能力,支持高達(dá)72A的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)性能,具備低柵極電荷和快速開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損耗。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠承受高溫工作環(huán)境,最高結(jié)溫可達(dá)175℃。
  5. 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),確保其在汽車級應(yīng)用中的可靠性和耐用性。
  6. 小型化封裝設(shè)計,便于PCB布局并節(jié)省空間。
  這些特性使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器以及其他需要高效功率傳輸?shù)膽?yīng)用場景。

應(yīng)用

PSMN1R4-30YLDX主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)、制動系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)等。
  2. 工業(yè)設(shè)備中的電源管理模塊,如不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的開關(guān)電源適配器和充電器。
  4. 各種類型的電機(jī)驅(qū)動電路,尤其是中小型直流電機(jī)或無刷電機(jī)的控制。
  5. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計,用于筆記本電腦、服務(wù)器和其他便攜式及固定式設(shè)備。
  由于其出色的電氣性能和可靠性,該MOSFET在需要高效率和高電流處理能力的場合表現(xiàn)尤為突出。

替代型號

PSMN1R2-30YLDX
  PSMN1R0-30YLDX
  PSMN0R8-30YLDX

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  • 封裝/批號
  • 詢價

psmn1r4-30yldx參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量9,757現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥12.64000剪切帶(CT)1,500 : ¥6.19711卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)1.42 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)54.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)3840 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)166W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼SC-100,SOT-669