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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSHX 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 8:59:54 查看 閱讀�25

PSMN1R0-40YSHX 是一款由 NXP(恩智浦)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,屬� PSMN 系列的低�(dǎo)通電阻產(chǎn)�,具有出色的�(kāi)�(guān)性能和較低的功耗特性。它適用于各種高效率電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 LFPAK88(Power-SO8�,具備卓越的散熱性能和較高的電流承載能力。由于其低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)特�,PSMN1R0-40YSHX 成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�40V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�72A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1mΩ
  柵極電荷(Qg)�49nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝形式:LFPAK88 (Power-SO8)
  邏輯電平柵極�(qū)�(dòng):支�

特�

PSMN1R0-40YSHX 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅� 1mΩ,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特�,能夠滿足高頻應(yīng)用需��
  3. 較高的額定電流(72A�,使其適合大功率�(chǎng)景�
  4. 封裝采用 LFPAK88,具有良好的熱性能和電氣連接可靠��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的運(yùn)行要��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�
  7. 支持邏輯電平柵極�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并提升兼容性�
  這些特性使得該芯片成為許多高效能電力系�(tǒng)的首選元��

�(yīng)�

PSMN1R0-40YSHX 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 汽車電子系統(tǒng),如啟停系統(tǒng)、電�(dòng)車窗及座椅調(diào)節(jié)等�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的功率管理單��
  6. 高效照明解決方案,例� LED �(qū)�(dòng)��
  其強(qiáng)大的電流處理能力和高效的�(kāi)�(guān)表現(xiàn),確保了在上述應(yīng)用中提供�(wěn)定的性能輸出�

替代型號(hào)

PSMN1R0-40YSBHX, PSMN1R0-40YSAHX

psmn1r0-40yshx推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

psmn1r0-40yshx參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,000�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �30.21000剪切帶(CT�1,500 : �15.97644卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)290A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1 毫歐@ 25A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)122 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)9433 pF @ 20 V
  • FET 功能肖特基二極管(體�
  • 功率耗散(最大值)333W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�LFPAK56; Power-SO8
  • 封裝/外殼SOT-1023�4-LFPAK