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PSB50505EV1.3-G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 20:42:20 查看 閱讀�21

PSB50505EV1.3-G是一款基于硅基工藝的高壓功率半導(dǎo)體器�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等場景。該型號屬于Power MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)系列,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能�
  該芯片采用TO-247封裝形式,適合需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�(shè)計�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:1.3mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)速度�100kHz
  功耗:250W
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

PSB50505EV1.3-G具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�500V的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為1.3mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備低柵極電荷和快速開�(guān)速度,可有效減少開關(guān)損��
  4. 高可靠性:通過嚴格的電氣和�(huán)境測�,確保在極端條件下的�(wěn)定運行�
  5. 大電流承載能力:支持最�50A的連續(xù)漏極電流輸出,滿足大功率需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電機�(qū)動與控制
  3. 工業(yè)逆變�
  4. 新能源汽車充電樁
  5. 光伏逆變�
  6. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

PSB50505EV1.5-G, IRFP460, FDP18N50C

psb50505ev1.3-g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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