PSB50505EV1.3-G是一款基于硅基工藝的高壓功率半導(dǎo)體器�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等場景。該型號屬于Power MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)系列,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能�
該芯片采用TO-247封裝形式,適合需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�(shè)計�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)速度�100kHz
功耗:250W
工作溫度范圍�-55℃至175�
PSB50505EV1.3-G具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:能夠承受高�500V的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為1.3mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:具備低柵極電荷和快速開�(guān)速度,可有效減少開關(guān)損��
4. 高可靠性:通過嚴格的電氣和�(huán)境測�,確保在極端條件下的�(wěn)定運行�
5. 大電流承載能力:支持最�50A的連續(xù)漏極電流輸出,滿足大功率需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動與控制
3. 工業(yè)逆變�
4. 新能源汽車充電樁
5. 光伏逆變�
6. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的理想選擇�
PSB50505EV1.5-G, IRFP460, FDP18N50C