PQ200WNA1ZPH是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和開關應用。該器件采用先進的制造工�,能夠提供低導通電阻和快速開關速度,從而降低功耗并提高系統(tǒng)效率。它適用于各種工�(yè)和消費類電子設備中的電源管理場景�
型號:PQ200WNA1ZPH
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝形式:TO-263 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�8A(脈沖)
導通電�(Rds(on))�0.2Ω(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�25nC(典型值)
開關時間:開啟時�=40ns,關斷時�=15ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
PQ200WNA1ZPH具有以下顯著特點�
1. 低導通電阻設計可有效減少導通損�,提高整體效��
2. 快速開關速度使其適用于高頻開關應用�
3. 較高的最大漏源電�(Vds)允許其在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
4. �(yōu)化的熱性能確保了長時間工作的可靠��
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適應各種嚴苛環(huán)境條��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色能源需��
這款功率MOSFET廣泛應用于多個領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關元件�
2. 直流-直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
5. 各種保護電路如過流保�、負載切換等�
PQ200WNA1ZP, IRF540N, FDP158N20AE