PNM523T201E0 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電源等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低功��
PNM523T201E0 的設(shè)�(jì)特別適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� TO-252(DPAK),能夠有效提高散熱性能,并且便� PCB 板上的布局與安裝�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�47A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ (� Vgs=10V �(shí))
總柵極電�(Qg)�49nC
輸入電容(Ciss)�2050pF
輸出電容(Coss)�125pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
PNM523T201E0 擁有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,確保在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. �(qiáng)大的電流承載能力,支持高�(dá) 47A 的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱性能,能夠在高功率密度下�(wěn)定運(yùn)行�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
6. 可靠的電氣性能,經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試以確保�(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定��
PNM523T201E0 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的電子開�(guān)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的大電流保�(hù)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
6. 各類高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
IRF540N
STP55NF06L
FDP5550
AO3400