PN6780HNEC-T1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn),適合于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及通信�(lǐng)域的多種�(yīng)��
型號(hào):PN6780HNEC-T1
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-252(DPAK)
Vds(漏源極擊穿電�)�60V
Rds(on)(�(dǎo)通電�)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V條件下)
Id(連續(xù)漏極電流)�38A
Vgs(th)(柵源�(kāi)啟電�)�2.2V~4.0V
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
PN6780HNEC-T1的主要特�(diǎn)是其出色的電氣性能和可靠��
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的功耗和�(fā)�,有助于提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損耗,特別適合高頻�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 高額定電流能力(Id=38A)支持大功率�(fù)載的�(yīng)用需求�
4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+150℃)使其能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 封裝形式為TO-252(DPAK),便于安裝且具有良好的散熱性能�
這些特性使得PN6780HNEC-T1成為許多功率管理電路的理想選��
PN6780HNEC-T1適用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制單元�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
6. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的適配器電路�
這款MOSFET因其�(yōu)異的性能和穩(wěn)定�,在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出色,滿足了�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)效率和可靠性的要求�
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5800