時間：2025/5/22 14:55:45
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PMV56XN/DG 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 SO-8 封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特性，適用于各種需要高效能功率轉換的應用場景，例如 DC-DC 轉換器、電機驅動、負載開關以及電源管理模塊等。這款 MOSFET 的設計使其能夠在較高的頻率下工作，并保持較低的能量損耗。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：4.8A
導通電阻（典型值）：45mΩ
柵極電荷：10nC
總電容（輸入電容）：350pF
開關速度：快速
封裝形式：SO-8
PMV56XN/DG 具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 下為 45mΩ，有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關速度，能夠支持高頻應用，降低開關損耗。
3. 較小的封裝尺寸，便于在空間受限的設計中使用。
4. 內部二極管反向恢復時間短，適合同步整流和其他高速切換電路。
5. 高可靠性與穩(wěn)定性，適用于工業(yè)級和消費級電子設備。
PMV56XN/DG 可廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 轉換器，包括降壓、升壓及升降壓拓撲。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電路。
4. 小型電機驅動和控制電路。
5. 各類便攜式電子設備的電源管理模塊。
6. LED 照明驅動電路。
PMV56UN,DG, IRF540N
