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PMEG45U10EPD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:40:48 查看 閱讀�23

PMEG45U10EPD 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高� MOSFET,具體屬� ST � MDmesh 系列。該器件采用溝槽柵極�(jié)�(gòu)和超�(jié)技�(shù)�(shè)�(jì),使其在高電壓應(yīng)用中具有出色的性能表現(xiàn)。它主要用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理等需要高效率和低損耗的場景�
  此器件具備高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及優(yōu)秀的開�(guān)特性,適用于多種工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):PMEG45U10EPD
  封裝:TO-220FP
  VDS(漏源極擊穿電壓):650V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�750mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):4.5A
  Qg(總柵極電荷):35nC
  Ciss(輸入電容)�1940pF
  EAS(雪崩能量)�33mJ
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � +150�

特�

PMEG45U10EPD 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力�650V � VDS 提供了對(duì)高壓�(huán)境的良好適應(yīng)��
  2. 超低�(dǎo)通電阻:即使在較高的額定電流�,其 RDS(on) 仍保持較低水平,從而減少了傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度:得益于先�(jìn)的制造工�,這款 MOSFET 具有較小的柵極電� Qg 和較短的開關(guān)�(shí)間,這有助于降低開關(guān)損��
  4. �(jiān)固的雪崩能力:高�(dá) 33mJ 的雪崩能量保證了其在異常工作條件下的可靠性�
  5. 寬廣的工作溫度范圍:� -55� � +150� 的結(jié)溫范�,確保其能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  這些特點(diǎn)� PMEG45U10EPD 成為眾多高電壓應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

PMEG45U10EPD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 適配器與充電�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)�
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路
  7. 太陽能逆變�
  由于其卓越的電氣特性和可靠�,PMEG45U10EPD 在這些�(yīng)用中能夠提供高效、穩(wěn)定的功率傳輸與控制�

替代型號(hào)

PMEG40U10EPD, PMEG45U10DPD

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