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PMEG3020EH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:35:51 查看 閱讀�23

PMEG3020EH是英飛凌(Infineon)推出的一款超�(jié)MOSFET(Super-Junction MOSFET),專為高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用TO-220封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)性能,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及PFC(功率因�(shù)校正)電路等高效率功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景�
  通過(guò)�(yōu)化的超結(jié)技�(shù),PMEG3020EH能夠顯著降低�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率。同�(shí),其出色的熱特性和耐用性使其成為高性能電力電子�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):PMEG3020EH
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�650V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�180mΩ(典型�,Vgs=10V�
  Id(連續(xù)漏極電流):9.6A
  Qg(柵極電荷)�27nC
  Eoss(輸出電容能量損耗)�44μJ
  Ciss(輸入電容)�2060pF
  RthJC(結(jié)至外殼熱阻)�1.2°C/W
  封裝形式:TO-220

特�

PMEG3020EH具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻:在高電壓條件下仍能保持較低的Rds(on),有效減少導(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:得益于較低的柵極電荷和輸出電容能量損耗,器件能夠?qū)崿F(xiàn)高速開(kāi)�(guān)操作,從而減少開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高雪崩能力:具備較強(qiáng)的抗雪崩能力,確保在異常工作條件下的可靠性�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):器件內(nèi)部采用先�(jìn)的散熱設(shè)�(jì),即使在高溫�(huán)境下也能維持�(wěn)定的性能�
  5. 小型化設(shè)�(jì):雖然采用標(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,但其高效的功率密度�(shè)�(jì)使得整體解決方案更為緊湊�
  這些特性共同賦予了PMEG3020EH在高頻和高壓�(yīng)用場(chǎng)景中的卓越表�(xiàn)�

�(yīng)�

PMEG3020EH主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):包括適配�、充電器和工�(yè)電源�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于各類電壓�(zhuǎn)換需求的�(chǎng)��
  3. 功率因數(shù)校正(PFC):用于提高電力系統(tǒng)的效率和功率因數(shù)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):特別是中小功率電機(jī)控制�(yīng)��
  5. UPS(不間斷電源):提供高效且可靠的后備電源支持�
  由于其高效率和高可靠性,PMEG3020EH非常適合需要高性能功率�(zhuǎn)換的各種電子�(shè)��

替代型號(hào)

PMEG3020EL, IRFB4110, FDP17N65

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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pmeg3020eh參數(shù)

  • 二極管類�肖特�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度2.7mm
  • 封裝類型SOD
  • 尺寸1.2 x 1.7 x 2.7mm
  • 峰值反向電�1mA
  • 峰值反向重�(fù)電壓30V
  • 峰值非重復(fù)正向浪涌電流0.009kA
  • 引腳�(shù)�2
  • 最低工作溫�-65 °C
  • 最大連續(xù)正向電流2A
  • 最高工作溫�+150 °C
  • 配置
  • �(zhǎng)�1.7mm
  • 高度1.2mm