PMEG2010EH 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-263(DPAK�,適合表面貼�,能夠有效節(jié)省電路板空間并提高散熱性能�
PMEG2010EH 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中對高效能和高可靠性的要求。憑借其�(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)健的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),該器件廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率處理的�(yīng)用場景�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�9.5A
�(dǎo)通電阻:10mΩ
柵極電荷�27nC
開關(guān)�(shí)間:ton=18ns, toff=13ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � 150°C
封裝形式:TO-263
PMEG2010EH 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電源應(yīng)用�
3. 較小的柵極電� (Qg),可以減少驅(qū)�(dòng)功��
4. �(wěn)健的雪崩能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境下的可靠性�
5. 表面貼裝封裝,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和熱管理�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使� PMEG2010EH 成為高效�、緊湊型電源解決方案的理想選��
PMEG2010EH 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的主開關(guān)或同步整� MOSFET�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)元件�
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
由于其出色的電氣特性和可靠性,PMEG2010EH 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和緊湊�(shè)�(jì)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
PMEG2010ELH, IRFZ44N, FDP5580