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PMEG2010EH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:24:48 查看 閱讀�22

PMEG2010EH 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-263(DPAK�,適合表面貼�,能夠有效節(jié)省電路板空間并提高散熱性能�
  PMEG2010EH 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中對高效能和高可靠性的要求。憑借其�(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)健的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),該器件廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率處理的�(yīng)用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�9.5A
  �(dǎo)通電阻:10mΩ
  柵極電荷�27nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=18ns, toff=13ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � 150°C
  封裝形式:TO-263

特�

PMEG2010EH 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電源應(yīng)用�
  3. 較小的柵極電� (Qg),可以減少驅(qū)�(dòng)功��
  4. �(wěn)健的雪崩能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境下的可靠性�
  5. 表面貼裝封裝,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和熱管理�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  這些特性使� PMEG2010EH 成為高效�、緊湊型電源解決方案的理想選��

�(yīng)�

PMEG2010EH 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的主開關(guān)或同步整� MOSFET�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)元件�
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
  由于其出色的電氣特性和可靠性,PMEG2010EH 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和緊湊�(shè)�(jì)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

PMEG2010ELH, IRFZ44N, FDP5580

pmeg2010eh推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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pmeg2010eh參數(shù)

  • 二極管類�肖特�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度1.7mm
  • 封裝類型SOD
  • 尺寸1.2 x 2.7 x 1.7mm
  • 峰值反向電�0.2mA
  • 峰值反向重�(fù)電壓20V
  • 峰值非重復(fù)正向浪涌電流0.009kA
  • 引腳�(shù)�2
  • 最低工作溫�-65 °C
  • 最大連續(xù)正向電流1A
  • 最高工作溫�+150 °C
  • 配置
  • 長度2.7mm
  • 高度1.2mm