PMDT670UPE是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用TO-252封裝形式。該器件適用于各種開關電�、電機驅動和負載切換等應用領域,具有低導通電阻和高開關速度的特�。PMDT670UPE能夠在高頻工作條件下保持較高的效�,并且具備良好的熱性能�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�43A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
總功耗:115W
結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-252
PMDT670UPE的主要特點是其卓越的電氣性能和可靠��
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻開關應�,從而減少磁性元件體積和成本�
3. 具備較強的雪崩能�,增強了在異常條件下的魯棒��
4. 封裝結構緊湊,散熱性能良好,非常適合空間受限的應用�(huán)��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計,滿足全球�(huán)保法�(guī)要求�
PMDT670UPE廣泛應用于多種電力電子領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流器或主開關�
2. DC-DC轉換器和降壓/升壓電路中的功率開關�
3. 電機驅動應用中作為逆變橋臂的功率器件�
4. 各類負載切換和保護電�,如電池管理系統(tǒng)(BMS��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
PMDT670UPH, PMDT680UPE