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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PMBT3904

PMBT3904 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/12 14:27:06 查看 閱讀�720

PMBT3904是一種高頻小信號(hào)NPN晶體管,適用于一般用途放大器和高速開(kāi)�(guān)�(yīng)�。它具有快速開(kāi)�(guān)速度、低噪聲和高放大倍數(shù)的特�(diǎn),可用于RF、IF和高頻放大器等電��
  PMBT3904的封裝形式有SOT-23、SC-70和SOT-323�,常用的為SOT-23封裝。其最大漏極電流為200mA、最大集�-基極電壓�40V,最大功耗為350mW�
  該晶體管的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括無(wú)線通信、消�(fèi)電子、自�(dòng)化控�、醫(yī)療設(shè)�、家用電器等�(lǐng)域。在�(wú)線通信方面,PMBT3904可用于收�(fā)�(jī)、放大器、混頻器、振蕩器等電路;在消�(fèi)電子方面,可用于音頻功放、電�、DVD等電路;在自�(dòng)化控制方�,可用于電機(jī)控制、工�(yè)自動(dòng)化控制等方面�
  總之,PMBT3904是一種常用的高頻小信�(hào)NPN晶體�,具有廣泛的�(yīng)用領(lǐng)域和良好的性能表現(xiàn),是電子工程師設(shè)�(jì)和制作電路時(shí)常用的元器件之一�

參數(shù)和指�(biāo)

最大集電極電壓VCBO�40V
  最大集電極-基極電壓VCEO�40V
  最大基�-�(fā)射極電壓VEBO�5V
  最大集電極電流IC�200mA
  最大功率Pd�625mW
  最大頻率為300MHz
  封裝�(lèi)型為SOT-23

組成�(jié)�(gòu)

PMBT3904由三�(gè)區(qū)域組成:基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。基區(qū)是一�(gè)薄的、高雜質(zhì)摻雜的區(qū)�,發(fā)射區(qū)是一�(gè)較厚、中雜質(zhì)摻雜的區(qū)�,集電區(qū)是一�(gè)較寬、低雜質(zhì)摻雜的區(qū)�。在NPN晶體管中,電流是由發(fā)射極向集電極流動(dòng)��

工作原理

�(dāng)正向偏置PMBT3904�(shí),電子從�(fā)射區(qū)注入基區(qū),同�(shí)碰撞和復(fù)合產(chǎn)生少量的空穴。這些空穴從基區(qū)移動(dòng)到集電區(qū),形成集電區(qū)電流。因�,基區(qū)電流是集電區(qū)電流的控制因�。當(dāng)基極電壓增加�(shí),基區(qū)電流增加,集電區(qū)電流也隨之增�。這種電流放大作用使得PMBT3904成為一種放大器�

技�(shù)要點(diǎn)

1、放大器輸入電阻�(yīng)盡可能大,輸出電阻應(yīng)盡可能小,以提高放大器的增益�
  2、放大器的直流工作點(diǎn)�(yīng)在穩(wěn)定區(qū),以保證放大器的線性度�
  3、放大器的帶寬應(yīng)盡可能大,以適應(yīng)不同頻率的信�(hào)�

�(shè)�(jì)流程

1、確定放大器的增益和帶寬要求�
  2、根�(jù)放大器的增益和帶寬要�,選擇適�(dāng)?shù)碾娐吠負(fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3、根�(jù)電路�?fù)浣Y(jié)�(gòu),計(jì)算電路中的元器件參數(shù)�
  4、根�(jù)元器件參�(shù),設(shè)�(jì)電路原理�,并�(jìn)行仿真分析�
  5、根�(jù)仿真�(jié)�,調(diào)整電路參�(shù),直至滿(mǎn)足設(shè)�(jì)要求�
  6、器件選型和電路布局�
  7、制作PCB板并�(jìn)行測(cè)��

注意事項(xiàng)

1、PMBT3904是一種高頻小信號(hào)晶體�,需要注意防靜電�
  2、PMBT3904的最大集電極電流�200mA,應(yīng)注意不要超過(guò)該限��
  3、PMBT3904的最大功率為625mW,應(yīng)注意不要超過(guò)該限制�

pmbt3904推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

pmbt3904資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

pmbt3904參數(shù)

  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 寬度1.4mm
  • 封裝�(lèi)�TO-236AB
  • 尺寸1 x 3 x 1.4mm
  • 引腳�(shù)�3
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 最低工作溫�-65 °C
  • 最大功率耗散250 mW
  • 最大發(fā)射極-基極電壓6 V
  • 最大基�-�(fā)射極飽和電壓0.95 V
  • 最大直流集電極電流0.2 A
  • 最大集電極-�(fā)射極電壓40 V
  • 最大集電極-�(fā)射極飽和電壓0.3 V
  • 最大集電極-基極電壓60 V
  • 最小直流電流增�30 V
  • 最高工作溫�+150 °C
  • 最高工作頻�300 MHz
  • 每片芯片元件�(shù)�1
  • �(lèi)�雙極小信�(hào)
  • 配置
  • �(zhǎng)�3mm
  • 高度1mm