PM40100B1-FEI是一款基于硅技術的N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應用于需要高效能和低導通損耗的場景。這款器件采用了先進的制造工�,具備出色的開關特性和低導通電阻特性,適合于多種電力電子應�,如DC-DC轉換�、負載開�、電機驅動等。此�,該型號還具有高雪崩能量能力,確保在異常情況下能夠安全工作�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�68nC
輸入電容�2740pF
總功耗:125W
結溫范圍�-55℃至175�
PM40100B1-FEI采用�(yōu)化設�,以實現(xiàn)最低的Rds(on)值,從而降低傳導損耗并提升整體效率�
該器件支持快速開關操作,并具備較低的Qg�,有助于減少開關損耗�
其堅固的雪崩能力和抗靜電放電(ESD)性能,使它能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
同時,PM40100B1-FEI封裝為TO-247,便于散熱管理并適用于表面貼裝或穿孔安裝應用�
該MOSFET適用于廣泛的工業(yè)及消費類應用領域,例如:
1. 開關電源中的同步整流��
2. 高效DC-DC轉換��
3. 各種負載切換電路�
4. 電機驅動與控��
5. 太陽能逆變器中的功率級組件�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率開關模��
PM40100B1-L, IRF7728, FDP16N10