PL8N10S8 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,屬于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器以� PFC(功率因�(shù)校正)電��
與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,PL8N10S8 提供了更低的寄生電容和更高的效率,在高頻操作中表�(xiàn)出顯著優(yōu)�(shì)�
類型:GaN 功率晶體�
耐壓�100V
�(dǎo)通電阻:7mΩ(典型值,@Vgs=6V�
連續(xù)漏極電流�3>柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5V ~ 6V
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)� MHz
封裝形式:TO-263 � DFN8
PL8N10S8 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,支持高頻工�,減少磁性元件體積并提高功率密度�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)電荷接近零的體二極管,有助于降低�(kāi)�(guān)節(jié)�(diǎn)振鈴和開(kāi)�(guān)損��
4. 柵極兼容性設(shè)�(jì),可直接與傳�(tǒng)� MOSFET �(qū)�(dòng)器配合使用�
5. 熱阻較低,具備良好的散熱能力�
6. 可靠性經(jīng)�(guò)�(yàn)�,適合工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高壓高頻場(chǎng)景�
PL8N10S8 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 圖形卡供電模� (VRM) 和服�(wù)器電��
3. 消費(fèi)類快充適配器和無(wú)線充電設(shè)��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及高效能源管理系�(tǒng)�
5. 光伏逆變器和不間斷電� (UPS) �(shè)�(jì)�
6. 電動(dòng)汽車(chē)中的�(chē)載充電器 (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器組件�
PSMN022-100YS, TPH2R100PDF, GS66508T