PL80N03是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于各種電源管理電路�。它具有低導通電�、快速開�(guān)速度和高效率的特�,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等應用場��
該器件采用先進的半導體制造工�,能夠提供出色的性能表現(xiàn),并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)速度�100ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
PL80N03具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,適合大功率應用�(huán)境�
3. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損耗并支持高頻操作�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下仍能可靠運��
5. 緊湊封裝�(shè)計,有助于節(jié)省印刷電路板空間�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料使��
PL80N03適用于多種電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制場景�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電動工具及家電中的電機驅(qū)�
3. 工業(yè)自動化中的負載切�
4. 汽車電子系統(tǒng)的電源管�
5. 充電器和適配器中的同步整�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)�
IRFZ44N
FDP5800
STP80NF03